- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11526 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H01L 27/11526
Brevets de cette classe: 669
Historique des publications depuis 10 ans
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83
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8
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
141 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
77 |
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
74 |
Kioxia Corporation | 9847 |
61 |
Monolithic 3D Inc. | 270 |
48 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
45 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
45 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
42 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
14 |
Renesas Electronics Corporation | 6305 |
10 |
International Business Machines Corporation | 60644 |
9 |
STMicroelectronics (Rousset) SAS | 952 |
8 |
Winbond Electronics Corp. | 1173 |
8 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
6 |
Schottky Lsi, Inc. | 19 |
6 |
eMemory Technology Inc. | 358 |
5 |
Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
5 |
Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 297 |
5 |
Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
4 |
Intel NDTM US LLC | 373 |
4 |
Autres propriétaires | 52 |